15) Elektrický proud v kovech a polovodičích
Princip vedení elektrického proudu v kovech
Vedení elektrického proudu
Valenční elektrony jsou k atomovým jádrům zány slabými silami. V krystalech kovů jsou prakticky volné a chaoticky se pohybu mezi kladnými
ionty krystalové mřížky. mto vodivostním elektronům se říká elektronový plyn, protože chaotic pohyb elektronů je možné přirovnat k tepelnému
pohybu molekul plynu. Celkový počet vodivostních elektronů je srovnatelný s počtem atomů ve vodiči. Střední kinetická rychlost chaotického pohybu
elektronů je velká (řádově ) a prakticky nezávisí na teplotě.
Připojíme-li vodič ke svorkám zdroje, vznikne v celém objemu vodiče elektric pole. Jeho působením jeporně nabitý elektron unášen proti směru
elektrické intenzity (což vyplývá dohodnutého směru elektrického proudu). Tedy vedle chaotického pohybu elektronů dochází ještě k uspořádanému
unášivému pohybu, který je podstatou elektrického proudu v kovech. Nepravidelnosti krystalové mříže brzdí pohyb elektronů, což se navenek projeví
jako odpor vodiče.
I zde platí analogie mezi elektrickým proudem (tj. usměrněným pohybem nabitých částic) a větrem (tj. pohybem částic vzduchu jedním směrem).
Nechť má vodič průřez
S
, hustota vodivostních elektronů je a velikost rychlosti jejich unášivého pohybu je
v
(obr. 48). Potom v objemu je
celkem elektronů. Za uvažovanou dobu tedy projde uvedeným průřezem vodiče náboj . Proud, který vodičem proteče, je
. Velikost rychlosti unášivého pohybu elektronů je velmi malá ve srovnání s velikostí rychlosti jejich tepelného pohybu (řádově ).
Obr. 48
Skutečnost, že např. po zapnutí vypínače u dveří místnosti se okamžitě rozsvítí žárovka visící uprostřed místnosti, je způsobena tím, že se elektrony
začnou pohybovat echny najednou. „Nerozjíždějí se“ tedy jako auta na křižovatce (vyjede první, druhý mezitím řadí a pak teprve vyjede, pak řa
a vyráží třetí, …), ale „rozjíždějí se najednou. Jakmile je vytvořeno elektrické pole - a to je vytvořeno v okamžiku zapnutí obvodu - všechny elektrony
se začnou pohybovat uspořádaným unášivým pohybem. Proto se žárovka rozsví okamžitě.
Vysvětlení závislosti odporu kovu na teplotě
Z Ohmova kona vyplývá, že při konstant teplotě je velikost unášivé rychlosti
v
přímo úměrná velikosti elektrické intenzity pole ve vodiči.
Připojíme-li vodič délky
l
o měrném odporu ke zdroji o svorkovém napětí
U
, můžeme postupně psát: . Odtud pro velikost
rychlosti pohybu elektronů dostáváme , kde je pohyblivost elektronů; .
Elektrický odpor kovových vodičů je důsledkem srážek vodivostních elektronů s nepravidelnostmi krystalové mříže. U čistých kovů se za obvyklých
teplot (řádově ) projevují především tepelné kmity iontů mříže. S rostoucí teplotou se amplituda kmitů zvětšuje a srážky iontů s elektrony jsou
častější - odpor vodiče roste a velikost unášivé rychlosti elektronů klesá. Teplotní součinitel odporu má u čistých kovů hodnotu okolo .
Ve slitinách kovů se mnohem více uplatňují trvalé nepravidelnosti mříže. rný odpor slitin je proto větší něž měrný odpor čistých kovů, z nichž je
slitina vytvořena, a teplotní součinitel odporu je malý.
Princip vedení elektrického proudu ve vlastních a nevlastních polovodičích
Polovodiče - zápis do situ
Podle vodivosti rozdělujeme látky na:
VODIČE - látky, které dobře vedou elektrický proud (např. kovy)
NEVODIČE (IZOLANTY) - nevedou elektrický proud, zeslabují elektrické pole
POLOVODIČE - vedou elektrický proud za určitých podmínek
Polovodič stejně jako každá jiná látka je složen z atomů, které obsahují protony, neutrony a elektrony.
Valenční elektrony (v poslední slupce) umňuvazbu s jinými atomy a za určitých podmínek mohoust elektrický proud.
Vnější podmínky měnící vodivost polovodičů:
zahřátí
ozáření
Základní vlastnosti polovodičů:
měrný elektrický odpor polovodičů s rostoucí teplotou rychle klesá
teplotní součinitel odporu je záporný (α < 0)
Mezi polovodiče řadíme:
prvky - Ge, Si, C, Se, Te
sloučeniny - PbS (sulfid olovnatý)
organická látka hemoglobin
TERMISTOR = polovodičová součástka využívající známé závislosti měrného elektrického odporu na teplotě
využití: měření teploty (odporové teploměry)
- měření teploty v žíle pacienta
- rozložení teploty v listu stromu
Vlastní polovodiče
Vlastní polovodič je polovodič neobsahující žádné příměsi.
Mohou se ale v jeho struktuře objevit nějaké nečistoty, ale ty nebudeme v dalším výkladu uvažovat.
Nejvýznamnějším materiálem pro výrobu polovodičových součástek je čistý monokrystalický křemík. Atom křeku 14 elektronů, z nichž je 10
pevně záno k jádru a zbývající 4 vytváře elektronové vazebné dvojice se čtyřmi sousedními atomy v krystalové mřížce. Křemík krystalizuje
v diamantové struktuře, tj. plošně centrovaná kubická soustava. Na uvolnění elektronu z této kovalentní vazby je zapotřebí energie, která překoná
vazebnou energii . Tuto energii musí elektron získat najednou a jsou tyto možnosti jejího získání:
1. tepelná excitace - kladné ionty krystalové mřížky neustále kmitají kolem svých rovnovážných poloh. Díky tomuto pohybu může elektron získat
energii, která stačí na překonání energie vazebné. Při pokojových teplotách ( ) je energie tepelných kmitů a uvolňuje se
tedy tímto způsobem velice málo elektronů. S rostoucí teplotou se jejich počet ale zvětšuje.
2. světelná excitace (vnitřní fotoefekt) - elektron může energii získat dopadem elektromagnetického záření (a tedy i světla). Záření má energii,
která je přímo úměrná jeho frekvenci. Energie viditelného světla se pohybuje v rozmezí .
Viditelné světlo tedy může způsobit excitaci elektronu resp. jeho vytržení z krystalické mříže atomu.
3. excitace silným elektrickým polem - při pokojových teplotách nepřipadá tento způsob excitace v úvahu, neboť by byla nutná elektrická intenzita
takové velikosti, která by daný materiál zničila (nastal by tzv. elektrický průraz materiálu).
Dojde-li k uvolnění elektronu ( ), začne se pohybovat krystalem. Na jeho místě vzniká prázdné místo, které kladný náboj a které se může
v krystalu také pohybovat. Tato kvazičástice (objekt, který se chová skoro jako částice) se nazývá díra ( ). Pohyb díry se děje v krystalu tak, že na
chybějící místo po uvolněném elektronu se dostane jiný elektron a díra tedy vznikne jinde.
… tak se vlastně díra přesunula na jiné místo krystalu.
Proces vzniku páru elektron - díra se nazývá generace. Ke generaci je nutno dodat energii.
Tuto energii lze dodat jedním z výše uvedených způsobů.
Obr. 62
Struktura polovodiče bude zakreslována pouze v rovině tak, jak ukazuje obr. 62. Ve skutečnosti se jedná pochopitelně o trojrozměrný útvar.
Dojde-li k setkání elektronu a díry, ztrácí elektron část své energie a zapojuje se opět do vazebné dvojice. Tomuto procesu se říká rekombinace. Při
rekombinaci se uvolňuje energie. V polovodiči se při stálé teplotě udržuje dynamická rovnováha mezi generací a rekombinací.
Zapojíme-li polovodič do elektrického obvodu, vzniká v m elektrické pole, které způsobuje upořádaný pohyb děr ve směru elektrické intenzity
a volných elektronů ve směru opačném. Výsledný elektrický proud v polovodiči je součtem proudu elektronového a rového: . Hustota
elektronů se s rostoucí teplotou zvětšuje, proto měrný elektrický odpor klesá na rozdíl od kovů, kde je hustota volných elektronů konstantní a měrný
odpor se s rostoucí teplotou zvětšuje. V kovech totiž nedochází k uvolňování dalších elektronů z vazeb mříže.
Právě popsaný typ elektrické vodivosti se nazývá vlastní vodivost.
Vlastní proto, že do struktury polovodiče nebyla přidána žádná příměs.
Příměsové polovodiče
Příměsové polovodiče jsou polovodiče, které obsahují příměsi - atomy jiného prvku.
Energie, která je nutná k odtržení elektronu od atomu prvku, podstatným způsobem ovlivňuje vlastnosti polovodičů. Cizí atom se může vyskytovat v:
1. substituční poloze - nahradí vlastní atom v jeho poloze v krystalické mřížce
2. intersticiální poloze - cizí atom se nachází mimo krystalickou mřížku, mimo tzv. uzlové body
V polovodičích se využívá substituční poloha, protože při umístění do intersticiální polohy se mění i objem polovodiče. S rostoucím objemem kle
objemová hustota vodivostních částic (počet částic na jednotku objemu), což se výrazně projeví na vodivosti polovodiče. K výrazným změnám vlastností
polovodičů dochází totiž při koncentraci 1 atom cizího prvku na atomů čistého prvku (většinou křemíku). Vodivost vyvola pomocí příměsí se
nazývá příměsová vodivost.
Přidáme-li do emíku, který se nachází ve čtvrté skupině periodické soustavy prvků (PSP), prvek z páté skupiny (P, As, Sb, …), podílí se jen čtyři
z pěti valenčních elektronů na kovalentní vazbě semíkem. Pátý elektron je zán slabě (viz obr. 63), že se uvolnit a začít se pohybovat krystalem.
Prvky 5. skupiny se stávají nepohyblivými kladnými ionty a nazývají se donory (dárci) - dávají k dispozici elektron. V takto upraveném krystalu převažují
elektrony - jsou tedy většinovými (majoritními) nositeli boje. Díry jsou meinové (minoritní) nositelé náboje. Vytvořili jsme tak polovodič s
elektronovou vodivostí, který se nazývá polovodič typu N.
Elektrony převažují proto, že kromě uvolněných elektronů od prvků z 5. skupiny PSP jsou v krystalu i volné elektrony vzniklé tepelnou generací.
Mechanismy vlastní vodivosti nelze zrušit.
Obr. 63 Obr. 64
Přidáme-li do křeku prvek ze třetí skupiny PSP (B, Al, Ga, In, …), obsadí svými elektrony jen tři vazby. Po chybějícím elektronu, který by se podílel
na další vazbě, vznikne díra (viz obr. 64), která že být snadno zaplněna přeskokem elektronu z některého sousedního atomu křemíku. Díra se tak
může pohybovat krystalem. Příměsi se stávají nepohyblivými zápornými ionty a nazývají se akceptory (příjemce).
Přijímají totiž elektrony od původního prvku polovodiče.
Majoritními nositeli náboje jsou díry, minoritními elektrony. Tímto způsobem vznikl polovodič s děrovou vodivostí, který se nazývá polovodič typu
P.
Typy polovodičů si lze pamatovat jednoduše: elektronová vodivost je způsobena elektrony se porným (negativním) bojem a vzniká polovodič
typu N; vodivost děrová je způsobena dírami s kladným (pozitivním) nábojem - vzniká polovodič typ P.
Hustota volných nositelů boje v příměsových polovodičích je při nízkých teplotách konstantní. Při zvyšová teploty se začíná uplatňovat také
vodivost vlastní, která zvyšuje koncentraci zejména minoritních nositelů náboje. U tšiny polovodičových součástek je tento jev nežádoucí, proto musí
být součástky chlazeny.
Diodový a tranzistorový jev
Diodový jev, dioda
PŘECHOD PN = rozhraní dvou polovodičů s různým typem vodivosti
DĚJE PROBÍHAJÍCÍ NA PŘECHODU PN
1)
difúze elektronů z N do P
difúze děr z P do N
2)
v N při rozhraní nevykompenzované (přebytek) kladných iontů (+)
v P při rozhraní nevykompenzované (přebytek) záporných iontů (-)
3)
HRADLOVÁ VRSTVA (1 mikrometr)
vytvoření elektrické dvojvrstvy (napěťové bariéry), která zabraňuje přechodu dalších volných částic (velký odpor)
ZAŘAZENÍ POLOVODIČE S PŘECHODEM PN DO ELEKTRICKÉHO POLE
existují 2 možné způsoby:
1. případ:
(+) l zdroje je připojen k polovodiči typu P
(-) l zdroje je připojen k polovodiči typu N
vliv vnějšího elektrického pole - zeslabení elektrické dvojvrstvy - obvodem prochází elektrický proud
POLOVODIČ JE ZAŘAZEN V PROPUSTNÉM SMĚRU
2. případ:
(+) l zdroje je připojen k polovodiči typu N
(-) l zdroje je připojen k polovodiči typu P
vliv vnějšího elektrického pole - zesíle elektrické dvojvrstvy - obvodem neprochází elektrický proud
POLOVODIČ JE ZAŘAZEN V ZÁVĚRM SMĚRU
DIODA = polovodičová součástka zalená na jednom přechodu PN
značka:
rozdělení diod:
Podle KONSTRUKCE
HROTOVÉ PLOŠNÉ
2 destičky s různou vodivostí (P a N)
snese větší napěťové zatížení
Podle POUŽITÍ
ZENEROVA FOTODIODA KAPACITNÍ LUMINISCENČNÍ (LED)
Tranzistorový jev a jeho technic vyití
TRANZISTOR = polovodičová součástka obsahující 2 přechody PN, má 3 vývody
kolektor (C)
báze (B)
emitor (E)
Rozdělení tranzistorů:
BIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
(řízeny proudem BÁZE)
PNP NPN
ZÁKLADNÍ ZPŮSOBY ZAPOJENÍ TRANZISTORU NPN
Se společným EMITOREM Se společnou BÁZÍ Se společným KOLEKTOREM
V praxi nejčastější zapojení SE SPOLEČNÝM EMITOREM
I
C
>> I
B
I
B
ovlivňuje I
C
v obvodu
malá změna I
B
způsobí velkou změnu I
C
proto se využívají tranzistory jako zesilovače
spojení několika tranzistorů - vícestupňové zesilovače
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Užití a přednosti polovodičové techniky
Polovodičové součástky (přehled)
Přednosti polovodičové techniky:
vysoká spolehlivost
mechanicky odolné
energeticky i materiálově úsporné
Jednotlivé součástky:
Název Charakteristika Značka Využití
DIODA polovodičová součástka zalená na jednom přechodu PN jako usměrňovač
FOTODIODA polovodičová dioda, která je citlivá na osvětlení PN přechodu světlem
určité vlnové délky
k měření osvětlení
TRANZISTOR polovodičová součástka zalená na dvou přechodech PN jako zesilovač
FOTOREZISTOR pasivní elektronická součástka bez PN přechodu, jejíž elektrický odpor
se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla
při měření intenzity světla (soumrakové spínače,
fotoaparáty)
TYRISTOR čtyřvrstvá dioda obsahující tři přechody PN jako regulátor a spínač
DIAK je polovodičový spínací prvek schopný vést elektrický proud oběma
směry, nemá řídíelektrodu a je tedy ovládán jen vstupním napěm
a nedá se řídit
jako spínač
TRIAK je polovodičový spínací prvek schopný vést elektrický proud oběma
směry, vlastnosti triaku přiblně odpovídají vlastnostem dvou
antiparalelně zapojených tyristorů, u kterých jsou řídicí elektrody
propojeny v jednu.
jako spínač
TERMISTOR polovodičová součástka zalená na známé závislosti měrného el.
odporu na teplotě
jako odporové teploměry
INTEGROVANÝ
OBVOD
elektronická součástka obsahující pasívní (rezistory, kondentory,
cívky) a aktivní (tranzistory) obvodové prvky umístěné nastálo v
jednom společném pouzdře a plníurčitou funkci elektronického
obvodu
výroba elektronických zařízení
MIKROPROCESOR integrovaný obvod, jeh logické operace lze naprogramovat k ovdání (řízení) elektronických obvodů